АРСЕЕВ Петр Иварович

АРСЕЕВ Петр Иварович (р. 21.07.1960) – российский физик, чл.-корр. РАН с 2008. Д-р физ.-мат.наук (Эффекты электрон-электронного и электрон-фононного взаимодействия в туннельных системах, 2007). Зав. сектором теории твердого тела Отделения теоретической физики им. И.Е. Тамма Физического института им. П.Н. Лебедева РАН. Проф. МГУ и МФТИ. Внук математика П.К. Рашевского.

Специалист в области теории твердого тела, физики неупорядоченных и неоднородных систем, сильно коррелированных систем, включая сверхпроводники, теории кинетических процессов в туннельных системах с взаимодействием.

В теории неупорядоченных систем получил важные результаты, связанные с корректным описанием электромагнитного поля над шероховатой поверхностью и с изучением локализации экситонов в магнитном поле в полупроводниковых структурах. Разработал общую квантовую кинетическую теорию туннелирования для систем, в которых наблюдаемые характеристики определяются кинетикой и не могут быть получены из равновесных параметров. Описал целый ряд особенностей, обусловленных кулоновскими корреляциями и электрон-фононным взаимодействием в области контакта. Построил специальную теорию линейного отклика сверхпроводников на электромагнитное поле, которая позволяет решить проблему сохранения калибровочной инвариантности всех функций отклика, что является нетривиальным результатом. Для экспериментов с использованием сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) предсказал сильное искажение первоначального спектра образца в некоторых случаях из-за образования локализованного состояния около иглы СТМ. Изучил детали построения температурной диаграммной техники для модели Хаббарда с бесконечным отталкиванием как пример диаграммной техники для сильнокоррелированных систем в подходе "вспомогательных частиц" (slave-particle).. Изучил нестандартные сверхпроводящие свойства систем с несколькими электронными зонами различной симметрии вблизи поверхности Ферми. Впервые показал, что в реальных соединениях существенное отличие наблюдаемых сверхпроводящих свойств от модели БКШ может возникать из-за нетривиального строения электронных состояний на уровне Ферми.