ЛЕБЕДЕВ Александр Александрович

ЛЕБЕДЕВ Александр Александрович (25.I.1929 - 22.III.1999) – советский физик. Р. в Ленинграде. Сын Ал-дра Ал. Лебедева. Отец А.А. Лебедева мл. Окончил ЛГУ в 1951, после окончания которого поступил в ЛФТИ (им. А.Ф. Иоффе), где проработал 48 лет (главный научный сотрудник). Канд. физ.-мат. наук (1982, "Исследование фотоэлектрических явлений в компенсированном кремнии и приборах на его основе"). Д-р. физ.-мат. наук (1984, "Центры с глубокими уровнями в кремнии и арсениде галлия").
Первая работа связана с выращиванием чистых монокристаллов германия. Участвовал в создании первых отечественных полупроводниковых приборов.  Инициатор создания диодов с двойной инжекцией из компенсированного кремния.
С середины 50-х годов приступил к исследованию глубоких центров (ГЦ) в кремнии и других полупроводниках. Первая опубликованная в открытой печати статья (1956) была посвящена исследованию германия с примесью золота. Провёл исследования фотоэлектрических явлений в тройных полупроводниковых соединениях, которые позволили определить или уточнить зонную структуру соединений и создать новые поляризационно-чувствительные фотоприемники. Провёл исследованию диодов с «S-образной» вольтамперной характеристикой на основе кремния, легированного примесями с ГЦ.
Был одним из основоположников ёмкостной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках. Идентификация примесей с глубокими уровнями, контролирующих время жизни носителей тока, позволила оптимизировать технологию изготовления полупроводниковых приборов различного назначения.
Полученные им и его сотрудниками результаты нашли широкое применение в радиотехнической промышленности, а также в авиационной и ракетно-космических отраслях. Премия Совета Министров СССР (1958) за создание первых в СССР транзисторных радиоприёмников.

Литература:
Из истории ФТИ им. Иоффе. Выпуск 2. Памяти А.А. Лебедева (к 80-летию со дня рождения). — СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2009