РОГАЧЕВ Александр Александрович

РОГАЧЕВ Александр Александрович (18XII.1937 - 23.X.1999) – российский физик, доктор физико-математических наук. Р. в Ленинграде. В 1960 окончил ЛГУ. С 1960 – в ЛФТИ РАН (с 1974 – зав. Лабораторией электронных полупроводников). Проф. Каф. оптоэлектроники ЛЭТИ (1973).
Работы в области физики полупроводников: полупроводниковые лазеры, инфракрасные лазеры на гетеропереходах второго типа, конденсация экситонов и электронно-дырочная жидкость, многоэкситонные комплексы, многоэлектронные явления в области перехода диэлектрик–металл, оже-транзисторы.
Обнаружил конденсацию экситонов в германии.
Открыл стимулированное излучение в арсениде галлия. (Ленинская премия, 1964, за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводниковых квантовых генераторов, совм. с Б.М. Вулом, О.Н. Крохиным, Б.В. Царенковым).

В 1986 году с сотрудниками впервые создал эффективный инфракрасный лазер на гетеропереходе второго типа.
Государственной премии (1988) за цикл работ ”Многоэкситонные комплексы в полупроводниках” (совм. с др.).

Литература:
Памяти Александра Александровича Рогачева / Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4