СУВОРОВ Александр Леонидович

СУВОРОВ Александр Леонидович (15.11.1943 - 18.06.2005) — российский физик, д.ф.-м.н. Р. в Свердловске. Сын Л.Я. Суворова. В 1967 окончил МИФИ. В 1960-61 и с 1967 — в Ин-те теоретической и экспериментальной физики. С 2001 — директор ФГУП ГНЦ РФ Института теоретической и экспериментальной физики им. А.И. Алиханова. С 1991 — проф. МИФИ (до 2003 филиал кафедры МИФИ "Физика сверхпроводимости и наноструктур»). В 2003 создал в МИФИ новую кафедру "Радиационная физика конденсированных сред". Д-р физ.-мат наук (1982, "Автоионная микроскопия первичных радиационных повреждений на поверхности и в объеме металлов").

Работы посвящены фундаментальным исследованиям физики радиационных дефектов в твердых телах, в которых он разработал новые методы исследования с помощью автоионной микроскопии радиационных дефектов, созданных в материалах под действием облучения.
Выполнил важные работы по определению энергии связи атомов на поверхности твердых тел. Были определены энергетические пороги распыления вольфрама, его оксида и перемешанных слоев W-C ионами дейтерия, измерены энергетические зависимости коэффициентов распыления этих материалов ионами дейтерия в припороговой области энергий. Получена уникальная информация о распылении ряда углеродных материалов: проанализированы энергетические зависимости коэффициентов распыления ионами водорода, дейтерия и гелия, установлены энергетические пороги начала распыления.
Проведены оригинальные исследования свойств цепочек фокусированных замещающих атомных столкновений в кристаллах, обнаружено уменьшение длины этих цепочек с ростом температуры, выявлено прерывание таких цепочек на атомах примесей.
Был одним из первопроходцев в прецизионных исследованиях поверхности материалов методами сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии в России. Им с коллегами был получен ряд значимых данных о влиянии облучения протонами, осколками деления, ионами цезия и другими частицами разных энергий на морфологию поверхностей графита и кремния, изучены процессы формирования пористого слоя в приповерхностных слоях кремния, что крайне важно для разработки современной микроэлектроники.
Отдельный цикл работ был посвящен изучению воздействия плазмы в установках типа токамак на поверхность конструкционных элементов, опробована уникальная методика изучения с помощью сканирующей туннельной микроскопии распыления поверхности первой стенки токамака непосредственно в процессе его работы.

Сочинения:
Микроскопия в науке и технике. / Москва: Издательство «Наука», 1981. - Академия наук СССР. Серия «Наука и технический прогресс» - на сайте Публичная библиотека (Электронные книжные полки Вадима Ершова и К°)

Литература:

1. С.В. Рогожкин, М.А. Козодаев. СУВОРОВ Александр Леонидович на сайте ИТЭФ им. А.И. Алиханова
2. Памяти Александра Леонидовича Суворова // УФН. — 2006. — Т. 176, N 4.