Основные ссылки

CSS adjustments for Marinelli theme

ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford)

ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford) ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford)

ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford) (13.II.1910 – 12.VIII.1989) — американский физик, член Национальной АН (1951). Р. в Лондоне. Окончил Калифорнийский технологический ин-т (1932). В 1936 - 55 работал в лабораториях Бэлл-Телефон. В годы Второй мировой войны Шокли участвовал в создании американской школы исследования операций и в разработке тактики стратегических бомбардировок. В 1955 - 58 — директор лаборатории полупроводников «Бекман Инструменте Инкорпорейшн», в 1958 —60 — президент «Шокли Транзистор Корпорейшн». а 1960 - 63 — директор «Шокли Транзистор», 1963 - 75 — профессор Станфордского ун-та.

Работы в области физики твердого тела и физики полупроводников (энергетические уровни в твердых телах, теория дислокаций и границы зерен, эксперименты и теория ферромагнитных доменов, физика транзисторов, теория вакуумных ламп).
Открыл «эффект поля», имевший важное значение для изобретения транзистора (1948).
Предложил механизм рекомбинации, основанный на предположении, что дефекты в кристалле служат своего рода катализаторами для процесса рекомбинации.

ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford) Экспериментально доказал участие неосновных носителей в процессе переноса в твердых телах, наблюдал дрейф и диффузию дырок. Изобрел способ создания диффузионного базового электрода (диффузионный базовый транзистор).
Плита с именем У. Шокли в колумбарии Alta Mesa Memorial Park  Palo Alto Santa Clara County California, USA Plot: Mausoleum #2, West Wall Stars, N5024-B. Источник: https://www.findagrave.com/cgi-bin/fg.cgi?page=gr&GRid=21219520

Осуществил подробное исследование эффекта усиления и контролируемой инжекции носителей тока в полупроводниках и положил начало большой серии работ по изучению свойств германия и кремния.
В 1949 совместно с Дж. Хейнсом осуществил эксперимент, позволивший непосредственно определить подвижность и время жизни неосновных носителей заряда в германии (опыт Хейнса — Шокли), с Г. Сулом открыл влияние магнитного поля на концентрацию дырок и электронов.
В 1949 предсказал возможность осуществления триода с р - n -переходом, вывел формулу для плотности полного тока в р - n-переходе (уравнение Шокли), исходя из своей теории р - n-перехода, предложил р - п - р - транзистор.
Предсказал (1951) эффект насыщения в полупроводниках, предложил метод определения эффективной массы.

В 1960-е годы Шокли увлёкся идеями евгеники и начал публичную кампанию против «вырождения» американской нации. Его расистские теории, отвергнутые обществом, разрушили научную репутацию Шокли, привели к фактическому изгнанию из научного сообщества.

Нобелевская премия (1956).

Литература

  1. Микеров А.Г. Уильям Шокли — отец транзисторной электроники. Control Engineering Россия. 2021. №2(92). Стр. 76 - 79.
  2. Биография в Wikipedia
  3. А. Паевский. Нобелевские лауреаты: Уильям Шокли. «Сломленный гений». Отец современной электроники / Indicator 23 марта 2019

 

 

ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford)
 
ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford) ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford)
ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford) ШОКЛИ Уильям Брэдфорд (Shockley William Bradford)