ИВЧЕНКО Еугениюс Львович

ИВЧЕНКО Еугениюс (Евгений) Левович (р. 02.02.1946) – российский физик, академик РАН (2022, чл.-корр. РАН с 2011). В 1970 закончил факультет радиоэлектроники (кафедра физики полупроводников и диэлектриков) Ленинградского политехнического института. Канд ф.-м. наук (1974, «Оптическая ориентация и нелинейное поглощение в полупроводниках»). Ученик Г.Е. Пикуса. Д-р ф.-м. наук (1982 – "Новые оптические явления в полупроводниках со сложной зоной структурой"). Зав. cектором теории квантовых когерентных явлений в твердых телах ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Профессор кафедры твердотельной электроники физико-технического факультета СПб ГПУ и Академического университета РАН.

Основные работы и научные достижения связаны с теорией полупроводников и полупроводниковых наноструктур, оптической спектроскопией и физикой фотогальванических эффектов:
- заложено новое направление в нанофотонике - резонансные фотонные кристаллы и квазикристаллы; 
- заложены основы теории слабой локализации в физике твердого тела; 
- предсказаны и исследованы циркулярный фотогальванический эффект, прямой и обратный спин-гальванические эффекты в гиротропных средах и полуметаллах Вейля, орбитально-долинные фототоки; 
- построена теория тонкой структуры и оптической спектроскопии низкоразмерных экситонов; 
- исследованы эффекты, обусловленные анизотропией химических связей на интерфейсах;
- решены задачи об эффекте Зеемана в наноструктурах и о влиянии магнитного поля, а также электрон-электронного взаимодействия на прецессионный механизм спиновой релаксации Дьяконова-Переля; 
- построена теория резонансной слабой гиротропии и магнитоиндуцированной дисперсии диэлектрических осей;
- разработана теория спин-зависимой рекомбинации Шокли‒Рида‒Холла в полупроводниках;
- исследованы эффекты электронного храповика в системах с двумерным электронном газом и  ассиметричным металлическим затвором.

Премия А.Ф. Иоффе (2015, за создание теории оптических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных системах)