АСЕЕВ Александр Леонидович

АСЕЕВ Александр Леонидович (р. 24.09.1946) – российский физик, академик РАН с 2006 (чл.-корр. с 2000). В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет. Канд. физ.-мат. наук (1975, «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках»), д-р физ.-мат. наук (1990, «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов»). Работал в Институте физики полупроводников (ИФП): зав. лабораторией (с 1986), зам. директора по науке (с 1994), директор (с 1998). В 1999-2003 – и.о. генерального директора, генеральный директор Объединенного института физики полупроводников СО РАН. С 2003 – директор ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН. С 2008 – вице-президент РАН. Председатель Сибирского отделения РАН. Проф. филиала кафедры физики полупроводников Томского государственного университета. Вице-президент РАН c 02.06.2008

Основное направление научной деятельности связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. 

Под его руководством создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. Совм. с сотрудниками выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния. Под его руководством и при непосредственном участии разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприёмных устройств для нового поколения инфракрасной техники. Участвовал в разработке нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, новых типов элементов памяти и элементов силовой электроники.