ЕГОРОВ Антон Юрьевич

ЕГОРОВ Антон Юрьевич (р. 8.V.1964 г.) – российский физик, чл.-корр. РАН с 2011. Р. в Санкт-Петербурге. В 1981 г. окончил физ.-мат. лицей № 239. Окончил СПб электротехнический институт. Научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Д-р физ.-мат. наук (2011, «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N – новый материал оптоэлектроники»). Заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН.

Работы связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе. 

Разработал технологию синтеза азотсодержащих полупроводниковых твердых растворов A3B5-N, позволяющая воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового материала с заданными физическими свойствами высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом; разработал физические принципы работы и впервые создал высокоэффективные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на базе гетероструктур азотосодержащих полупроводниковых твердых растворов для систем оптической передачи информации; разработал промышленную технологию полупроводниковых гетероструктур для новых изделий микроэлектроники специального и двойного применения, предназначенных для решения широкого круга экономических и оборонных задач РФ.