СИГОВ Александр Сергеевич (р. 31.V.1945) – российский физик, академик РАН с 2011 г. (чл.-корр. с 2006). Р. в г. Донецке. В 1968 г. окончил с отличием Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова по Кафедре квантовой теории. С 1971 – в Московском государственном институте радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА). В 1972 г. защитил канд. диссертацию «Статические и динамические свойства доменных границ с поперечными связями в тонких ферромагнитных пленках», в 1985 г. – докторскую диссертацию «Влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи стуктурных и магнитных фазовых переходов». С 1988 профессор. С 1989 г. - заведующий кафедрой физики конденсированного состояния МИРЭА. В 1985-98 г. – декан Факультета электроники и оптоэлектронной техники МИРЭА, с мая 1998 г. – ректор МИРЭА. Брат Ю.С. Сигова. Академик РАЕН.
Специалист в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения. Работы связаны с исследованием физических свойств систем с пониженной размерностью и/или структурным беспорядком и создание на их основе функциональных устройств нано-, микроэлектроники.
Член Научного совета при Совете Безопасности РФ, бюро Объединенного Совета РАН по физике конденсированных сред и ряда советов Минобрнауки России, Европейского физического общества и Института электроинженеров (Англия), заместитель председателя Межгосударственного совета по микронаномехатронике, заместитель председателя Научного совета РАН по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков, член редакционных коллегий и советов международных и российских журналов - «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника», «Integrated Ferroelectrics» и др.
Заслуженный деятель науки РФ (1997).
Гос. премия РФ (2003), премия Правительства РФ в области науки и техники (2000), премии им. М.В. Ломоносова в области науки и образования (2003).