ОРЛИКОВСКИЙ Александр Александрович

ОРЛИКОВСКИЙ Александр Александрович (12.VI.1938-1.V.2016) - советский и российский физик, академик РАН (). Р. в Москве. Отец был репрессирован ещё до рождения сына. Доктор технических наук (1984), профессор. Директор и научный руководитель (с 2015) Физико-технологического института РАН (ФТИАН).
Один из ведущих ученых в области физики и технологии элементной базы микро- и наноэлектроники. Внес значительный вклад в разработку физических и схемотехнических принципов создания полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области: концепция, схемы выборки, схемы и структуры элементов памяти, обнаружение коллективных явлений в больших массивах биполярной памяти. Результаты работ внедрены в промышленных разработках сверхскоростных БИС оперативной памяти (НИИМЭ и завод «Микрон»), получивших применение в отечественной электронной аппаратуре специального назначения.
С 1981 года главным направлением его исследований являются физические основы процессов субмикронной технологии кремниевых СБИС, создание новых технологий и технологического оборудования для передовых производств СБИС.  Один из основоположников развития научных исследований в этой области. Под его непосредственным руководством выполнен цикл работ по созданию технологии контактных слоев для глубоко субмикронных интегральных схем на основе силицидов титана. Впервые установлено влияние содержания кислорода на температуру образования дисилицидной фазы. Цикл теоретических и экспериментальных работ по плазмохимическому травлению кремния и кремнийсодержащих материалов завершился созданием технологии глубокого анизотропного травления кремния с использованием впервые в мировой практике Br-содержащих газов. Выполнен цикл исследований по молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии с целью создания технологии оптических связей на кремниевых чипах и между чипами. Физические и технологические принципы, заложенные в этих работах, находят применение в современных отечественных производствах интегральных схем.
В последние годы развивал научные исследования, связанные с разработкой технологии интегральных схем с минимальными размерами в суб-100 нм диапазоне: работы по созданию широкоапертурных источников плотной низкотемпературной плазмы с высокой равномерностью потоков плазмы на подложку; работы по диагностике низкотемпературной плазмы и методам мониторинга плазменных технологических процессов — основы автоматизации плазмохимического оборудования. В этой области созданы методы мониторинга плазменных процессов травления и нанесения тонких пленок на основе оптической эмиссионной спектроскопии, зондов Ленгмюра и спектральной эллипсометрии. Под его руководством создан оптический томограф плазмы, предназначенный для аттестации источников плотной плазмы. Циклы этих работ завершились созданием в еголаборатории автоматизированных установок плазмохимического травления, в том числе, для приборов микромеханики, плазмостимулированного нанесения тонких пленок диэлектриков и плазмоиммерсионной ионной имплантации. Образцы этих установок изготовлены для ряда академических и отраслевых институтов. Согласованы планы по производству установок для промышленных применений. Новым направлением его научных интересов стало, совместно с академиком Валиевым К. А., развитие нанотехнологий для создания приборов с использованием квантовых явлений в полупроводниках, такуих как технология нанотранзисторов с длиной канала порядка 10 нм, на свойства которых значительное влияние оказывают квантовые явления. В этом направлении ведутся интенсивные исследования сверхмелкого легирования, технологии подзатворных диэлектриков с высоким ε, металлических затворов, контактных и барьерных слоев для создания ультрабольших интегральных схем новых поколений. Разработана полностью квантовая модель нанотранзистора.