ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович

ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович (Dmitri Z. Garbuzov)(27.X.1940-20.VIII.2006) - советский, российский и американский физик. Чл.-корр. РАН (1991). Р. в Свердловске. Окончил физический ф-т ЛГУ. С 1964 работал в группе Ж.И. Алфёрова в ЛФТИ. Защитил кандидатскую диссертацию в 1968, докторскую - в 1979 (Излучательная рекомбинация в AlGaAs - гетероструктурах). С 1979 - руководитель лаборатории ФТИ. В 1994 г. уехал в США. Работал в Принстонском университете, Sarnov Corporation и ряде корпораций, связанных с лазерной техникой.  В 2000 стал одним из основателей Princeton Lightwave Inc, где он был вице-президентом по исследованиям

Один из пионеров создания диодных лазеров, работающих при комнатных температурах, и диодных лазеров высокой мощности.
Внес определяющий вклад в создание диодных лазеров с длиной волны от 0,8 до 2,7 мкм.
Занимался излучательной рекомбинацией в гетероструктурах и созданием лазеров на их основе.
Внес с сотрудниками важный вклад в получение гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии.
Под его руководством были исследованы гетеропереходы в твердых растворах InGaAsP/InP. Лазеры на основе такой структуры сегодня являются основой оптической связи.
В 1992 получил Премию А. Гумбольдта  и финансовую поддержку для годичной работы в Германии (Технический ун-т в Берлине), в ходе которой выполнил работы по лазерам с распределенноё обратной связью на основе InAlGaAs / InGaAs.
Выполнил важные работы по разработке мощных диодных лазеров. Внес определяющий вклад в создание диодных лазеров с длиной волны от 0,8 до 2,7 мкм. Выдвинутые им идеи служат основой для всей отрасли производства лазеров высокой мощности для промышленного производства.

Ленинская премия (1972 за "Фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и разработки новых устройств на их основе"), Государственная премия (1987).