КРАСИЛЬНИК Захарий Фишелевич

КРАСИЛЬНИК Захарий Фишелевич (р. 2.11.1947) – советский и российский физик. Академик РАН (2025, чл.-корр. с 2016) Р. в г. Черновцы. В 1970 окончил Горьковский гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского. 1977 – кандидатская диссертация «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — профессор М. И. Рабинович; 1988 – докторская диссертация «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках». С 1970 работает в НИ радиофизическом ин-те, с 1977 - Ин-те прикладной физики РАН (АН СССР), научный сотрудник, зав. лабораторией, зав. отделом, зам. директора отделения. В 1993-2009 — зам. директора Ин-та физики микроструктур РАН, заведующий отделом физики полупроводников ИФМ РАН. В 2009-20 – директор ИФМ РАН. С 1989 работа в НГУ (заслуженный проф., зав. кафедрой).

Специалист  в  области  физики  полупроводниковых наноструктур и наноэлектроники. 
Основные научные результаты:
- разработано новое научное направление - 
- впервые изучены процессы КР и ВРМБ в пьезоэлектрических полупроводниках с дрейфом носителей заряда, выявлены условия развития взрывной электромагнитной неустойчивости;
- выполнены пионерские работы по самоорганизации и люминесценции квантовых точек Ge/Si, по эпитаксии и люминесценции совершенных монокристаллических пленок Si:Er на длине волны 1,5 мкм, мотивировавшие развитие направления "кремниевая нанофотоника" ("кремниевая нанооптоэлектроника");
-предложены и созданы макеты гибридных мини- и микролазеров в области прозрачности кремния на гетероструктурах InGaAs/GaAs/SiGe/Si(100), продемонстрировано управление излучением SiGe гетероструктур с использованием монолитно интегрированных двумерных фотонных кристаллов на высокодобротных модах связанных состояний в континууме;
- созданы светоизлучающие и фотоприемные диоды, элементы электрооптической памяти на основе SiGe/Si и Si:Er/Si наноструктур;
- развиты методы формирования спинового кубита на квантовых точках в гетероструктурах Si/SiGe с изотопно обогащенным содержанием 28Si и 72Ge;
- развита эпитаксия монокристаллических гетроструктур на InN и впервые получено стимулированное излучение с оптической накачкой на межзонных переходах в районе 1,6 мкм.
- создан германиевый полупроводниковый мазер NEMAG с широко перестраиваемой магнитным полем частотой генерации в субтерагерцовом диапазоне (мазер на циклотронном резонансе горячих дырок германия с отрицательными эффективными массами – полупроводниковый аналог вакуумного гиротрона).

Лидер научной школы (совместно с чл.-корр. РАН А.А. Андроновым) "Физика инвертированных распределений и стимулированного излучения горячих носителей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами".

Гос. премия СССР (1987, с А.А. Андроновым и др.).

Информационные источники:
З.Ф. Красильник (К 70-летию со дня рождения) / УФН, т. 188, № 1, январь 2018.