ЗОТОВ Андрей Вадимович

ЗОТОВ Андрей Вадимович (р. 7.III.1955) – российский физик, чл.-корр. РАН (2016). Р. в Хабаровске. Окончил ф-т общей и прикладной физики МФТИ 1978. Канд. физ.-мат наук ("Исследование твердофазной эпитаксии легированных пленок кремния в условиях сверхвысокого вакуума", 1988). Д-р физ.-мат. наук ("Встроенные поверхностные фазы на кремнии", 1997). В 1978-1996 – научный сотрудник Института автоматики и процессов управления ДВО РАН. В 1994-1996 –стипендиат Фонда Гумбольдта (Humboldt Foundation) в Университете Бундесвера в г. Мюнхене (Германия). В 1999-2000 – стипендиант Японского общества содействия науки (Japanese Society for Promotion of Science (JSPS)) в Университете г. Осака (Япония). Зав. лабораторией технологии двумерной микроэлектроники ФГБУН Института автоматики и процессов управления ДВО РАН (с 2005). Проф. (2007). Проф. Дальневосточного государственного университета и Владивостокского университета экономики и сервиса.
Cпециалист в области физики поверхности твердых тел и низкоразмерных наноструктур и роста тонких твердотельных пленок.
Исследовал механизмы самоорганизации, приводящие к формированию на поверхности массивов(в том числе, упорядоченных) нанокластеров, имеющих идентичный размер и форму (так называемых «магических кластеров»).
Исследовал процессы адсорбции и самоорганизации сферических молекул С₆₀ (фуллеренов) на широком наборе поверхностных реконструкций на кремнии.
Синтезировал пленки атомной толщины на кремнии, обладающие свойствами систем с двумерным электронным газом и демонстрирующие гигантский эффект Рашбы, а также разработал универсальный метод формирования таких двумерных сплавов.
Вырастил атомные слои, демонстрирующие сверхпроводящие свойства в сочетании с гигантским эффектом Рашбы, и исследовал их электронные и транспортные свойства.