Основные ссылки

CSS adjustments for Marinelli theme

ПРИНЦ Виктор Яковлевич

ПРИНЦ Виктор ЯковлевичПРИНЦ Виктор ЯковлевичПРИНЦ Виктор Яковлевич (21.IV.1950 - 24.VI.2021) – советский и российский физик. Чл.-корр. РАН с 2019. Р.  в г. Тавда Свердловской области. В 1972 окончил Новосибирский гос. университет.  Канд. физ.-мат. наук (1980, "Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твердых растворах на его основе методами емкостной спектроскопии"). Д-р физ.-мат. наук (2005, "Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур"). С 1972 работает в ФГБУН Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (г. Новосибирск, с 1992 – заведующий лабораторией).
Специалист в области физики полупроводников и нанотехнологии.
Занимался вопросами диагностики полупроводниковых структур, предназначенных для изготовления диодов Ганна, полевых транзисторов, гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью и интегральных схем, что позволило кардинально увеличить выход годных полупроводниковых приборов. Совместно с сотрудниками его группы были разработаны, запатентованы и внедрены оригинальные методы диагностики и приборы (ёмкостные измерители профиля легирования полупроводниковых структур, ёмкостные спектрометры глубоких уровней и приборы СВЧ-неразрушающего контроля качества исходных многослойных структур).
Автор оригинального направления в области физики и технологии твердотельных наноструктур. Им предложены методы упругого самоформирования трёхмерных наноструктур, позволившие осуществить переход от плоских твердотельных наноструктур к трёхмерным. Технология трёхмерных наноструктур (принц-технология), разработанная им совместно с сотрудниками, является единственной российской нанотехнологией высокого уровня, признанной за рубежом
ПРИНЦ Виктор ЯковлевичПРИНЦ Виктор ЯковлевичИсследованы свойства и механизмы роста VO2, испытывающего фазовый переход полупроводник-металл, в результате созданы прорывные методы формирования массивов моно-кристалллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами, перспективные для создания новой электроники, интеллектуальных фотонных кристаллов, метаматериалов, нейроморфных и компьютерных схем со сверхмалым потреблением энергии;
С сотрудниками созданы новые классы трёхмерных микро- и наноструктур, на основе которых в ИФП CO РАН и институтах США, Германии, Японии, Швейцарии, Канады, Франции, Нидерландов создан целый ряд новых наноматериалов и приборов: от трубчатого лазера до нанороботов.
Им с сотрудниками или под его руководством обнаружены гигантское сильнополевое возрастание сечений захвата носителей заряда на притягивающие и нейтральные центры, гигантская асимметрия магнитосопротивления в цилиндрических оболочках с двумерным электронным газом, переходы полуметалл-диэлектрик мультиграфена, сильнополевое переключение проводимости тонкоплёночных структур. Совместно с сотрудниками лаборатории разработаны новые оригинальные наноматериалы: электромагнитные киральные метаматериалы, магнитные метаматериалы, перестраиваемые наногофрированные материалы. Разработаны сверхбыстродействующие сенсоры-наноанемометры, атомноострые наноиглы и скальпели для биомедицинских применений. Решена проблема формирования прецизионных нанозазоров, что позволило создать мощные электростатические нанодвигатели. Созданы макеты наношприцов и нанопринтеров.
Исследованы механизмы высокочастотных шумов в СВЧ полевых транзисторах GaAs, транзисторах с высокой подвижностью и в ИС, в результате предложены и внедрены методы бесконтактного входного контроля структур, существенно улучшивших качество приборов.

Использованы материал с сайта ИФП им. А,В. Ржевкина

Похоронен на Южном кладбище Новосибирска

Литература:
  1. Г. Казарина. Атом насущный / «Эксперт Сибирь» №22(164),  11 июня 2007
  2. Принц-технология: 10 лет спустя
  3. Ученые из новосибирского Академгородка создали ключевые наноэлементы для посткремниевой электроники и нейрокомпьютеров / Портал РАН, Новости - 19.02.2020
Сибирские «самокрутки» родились в 1995 году в общем-то достаточно случайно. В.Принц сотоварищи вздумали создать туннельно-тонкий промежуток в двухслойной напряжённой полупроводниковой структуре, сперва освободив её от подложки, а затем пропустив по ней трещину. Встроенные механические напряжения должны были слегка изогнуть края трещины и развести их на маленькое расстояние, в принципе вплоть до нескольких ангстрем. Подбирая толщины и рассогласование параметров решётки в двухслойной псевдоморфной гетероструктуре, можно было бы прецизионно контролировать туннельный зазор. Идея исключительно простая и здравая, но исполнение подвело. Канал, вытравленный под бислойной InGaAs/GaAs структурой, оказался слишком широким и вместо того, чтобы слегка разойтись, берега трещины свернулись в трубочки. Пусть пока и микронных диаметров. Чудо свершилось, потому что исконно плоская (планарная) микроэлектроника выпрыгнула в третье измерение. И выпрыгнула упруго-нестандартным способом. Принц-технология сделала первый вздох. Естественно возник вопрос: «А где предел? Можно ли скрутить плёнки толщиной в несколько атомов?» Большие учёные сказали Принцу, что прыгать в ширину бессмысленно - отделить от подложки пленки ангстремных толщин невозможно, к тому же они окислятся. Принц не поддался на запугивание и через пару-тройку лет наделал трубок и спиралей с диаметром от микро- до нанометров из плёнок толщиной от сотен до нескольких ангстрем. На одной из международных конференций по физике полупроводников тогда ещё не нобелевский Герберт Крёмер был просто очарован сибирскими нанозавитками и предсказал им большое будущее. И он не ошибся, так как в настоящее время более десятка групп во всём мире двигают технологию Принца по самым разным направлениям.
Принц-технология: 10 лет спустя

Теги: 
биография