ИВАНОВ Сергей Викторович

ИВАНОВ Сергей Викторович (р. 26.VI.1960) – российский физик. Чл.-корр РАН с 2022. Р. в Ленинграде. В 1977 окончил 239-ю физ.-мат. школы (ФМЛ № 239). В 1983 с отличием окончил ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина) по кафедре оптоэлектроники. Работает в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (зав. лаб. квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии; с октября 2018 – и.о., с августа 2019 – директор). Канд. физ.-мат. наук (1989, "Исследование процессов роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии эпитаксиальных слоев (Al,Ga)As и гетероструктур низкопороговых инжекционных лазеров"). Д-р физ.-мат. наук (2000, "Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А2В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)"). В 2004-18 профессор – СПбГЭТУ «ЛЭТИ», преподает в Академическом университете им. Ж.Алфёрова (СПбАУ).,
Специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии.
Основные научные результаты:
разработаны физические основы технологии МПЭ полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵, включая технологию с плазменной активацией А³-нитридов, и широкозонных соединений А²В⁶, в том числе структур с квантовыми точками (КТ) СdSe и магнитными полупроводниками, и проведены детальные исследования их фундаментальных свойств;
созданы прототипы приборных гетероструктур: сверхнизкопороговых лазерных диодов с раздельным ограничением в системе AlGaAs, лазеров с КТ InSb и фотоприемников среднего ИК диапазона в системе AlGaSbAs/InAsSb, светодиодов и лазеров среднего УФ диапазона на основе AlGaN, высокоэффективных сине-зеленых лазеров с электронно-лучевой накачкой и лазерных конверторов на основе наноструктур СdSe/ZnSe, СВЧ НЕМТ-транзисторов с каналом InAs;
разработана и реализована оригинальная концепция интеграции в рамках когерентной гетероструктуры нанослоев соединений А³В⁵ и А²В⁶, позволяющая существенно расширить возможности конструирования опто-, микро- и спинэлектронных приборов нового поколения.