МОСС Тревор Симпсон (Moss Trevor Simpson)

МОСС Тревор Симпсон (Moss Trevor Simpson) (28.I.1921 – 23.III.1996) – британский учёный. Р. в Buglawton, Чешир, Англия. В 1941 получил степень бакалавра инженерных наук в Даунинг-колледже Кембриджского университета. Работал на Королевском авиационном предприятии (RAE), а с 1943 в научно-исследовательское учреждении электросвязи (TRE) в Малверне. В 1948 вернулся в Кембридж дя подготовки диссертации, которая была завешена в 1950-51. В 1950 вернулся в TRE, а в 1953 – в RAE (с 1958 –главный научный сотрудник, с 1968 – глава радиоотдела). С 1978 вновь в TRE (заместитель директора). Ушёл с государственной службы в 1980 после сердечного приступа, занимался консультационной и редакторской деятельностью. Полностью ушёл на пенсию в 1996.
Основные работы связаны с физикой полупроводников: в первую очередь с исследованием фотопроводимости, в частности, в интерметаллических полупроводниковых соединениях.
В 1954 независимо от Э Бурштейна открыл эффект Мосса – Бурштейна: сдвиг края области собственного поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение).
В 1958 наблюдал эффект Келдыша – Франца: сдвиг полос поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля.

Был крупным специалистом в области оптоэлектроники. Его монография «Оптические свойства полупроводников» была первой по этой теме и переводилась на многие языки, в т.ч. на русский (1961, издательство «Иностранная литература», под ред В.С. Вавилова).

Сочинения:
Т.Мосс, Г.Баррел, Б.Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. (Semiconductor Opto-Electronics, 1973) / Москва: Издательство «Мир», 1976
- на портале "Публичная библиотека"