ЭКХАРДТ Гизела (Eckhardt Gisela)

ЭКХАРДТ Гизела (Eckhardt Gisela) (28.10.1926-30.01.2020) – немецкий и американский физик. Родилась во Франкфурте-на-Майне. Окончила Университет им. И.-В. Гёте (1952). В 1958 получила докторскую степень. В 1958 вместе с мужем переехала в США, где работала в RCA laboratories в лаборатории полупроводников в Сомервилле. (1958-60). С 1960 работала в Hughes Research Laboratories в Малибу. Была одной из двух женщин, присутствовавших на первой Научно-исследовательской конференции по нелинейной оптике в 1964, которая собрала пионеров в области нелинейной оптики.
Первая работа была посвящена расширении области применения фильтров Кристиансена до инфракрасного излучения.
Применила свои знания в области инфракрасной спектроскопии к полупроводникам и к разработке методов обработки полупроводниковых устройств, что привело к резкому снижению концентрации дефектов в электронных материалах Si и GaAs.
Участвовала в разработке первого рамановского лазера (1962, вместе с Э. Дж. Вудбери), в котором в качестве жидкой лазерной среды использовался нитробензол, а в качестве устройства накачки – рубиновый лазер с модулятором добротности.
Участница создания первого рамановского лазера на основе алмаза (1963).
Первой верно объяснила открытое Э. Дж. Вудбери  и Вон Нг (Wan K. Ng) вынужденное (стимулированное) комбинационное рассеяние (1962). Выполнила первые демонстрации стимулированного комбинационного рассеяния рассеяния в органических жидкостях, алмазе, кальците и сере. Разработала правила отбора таких материалов.
Разрабатывала методы преобразования переменного тока в постоянный и наоборот в силовой электронике. С 1970 занималась исследованиями плазмы и разработкой технологий обработки полупроводниковых устройств с использованием лазеров. Внесла значительный вклад в развитие энергоэлектронной и радиочастотной электроники.
 
В 2016 OSA признала Гизелу Экхардт одной из 100 самых влиятельных людей в оптике за последнее столетие.