ЦАРЕНКОВ Борис Васильевич

ЦАРЕНКОВ Борис Васильевич (19.06.1930-16.05.2020) – советский и российский физик. В 1954 окончил Ленинградский электротехнический ин-т. До конца 1990-х работал в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (первоначально – в лаб. Д.Н. Наследова). Зав. лаб. физических проблем полупроводниковой электроники). Затем жил в США. Д-р физ.-мат. наук (1985, «Электронно-дырочные структуры арсенида галлия: методы создания, электрические и люминесцентные процессы»). Проф. кафедры оптоэлектроники ЛЭТИ. Засл. изобретатель СССР.
При его участии была создана первая в стране p-n-структура на основе GaAs (1956). В 1957под его руководством был изготовлен солнечный фотопреобразователь, а в 1962 – первый светодиод.
В 1962 с Д.Н. Наследовым, С.М. Рывкиным, А.А Рогачевым открыл высокоэффективную излучательную рекомбинацию и стимулированное излучение в полупроводниках.
В 1965 разработал диффузионную технологию p-n-структур на основе GaAs и GaP. С В.Е, Седовым создал светоизлучающую структуру.
Автор первого в СССР изобретения по жидкофазной эпитаксии полупроводников A^IIIB^V, что положило начало использованию этой технологии (А.Т. Гореленок, Б.В. Царенков, Ю.М. Бурдуков, Ю.П. Яковлев).
Под его научным руководством в 1960-х было организовано первое в Советском Союзе промышленное производство светодиодов и полупроводниковых лазеров (завод «Старт», Москва).
С сотр. выполнил фундаментальные исследования электронных и оптоэлектронных явлений в оригинальных варизонных структурах.
Работы по коротковолновой фотоэлектронике и проблемам контакта металл-полупроводник.
Ленинская премия (1964, за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводниковых квантовых генераторов – с Б.М. Вулом, О.Н. Крохиным, Ю.М. Поповым, А.В. Шотовым, Д.Н. Наследовым, С.М. Рывкиным, А.А Рогачевым).

Литература: