КВОН Зе Дон (Дмитрий Харитонович)

КВОН Зе Дон (Дмитрий Харитонович) (р. 3.11.1950) – советский и российский физик. Чл.-корр. РАН (2022). Р. в пос. Быков Долинского р-на Сахалинской обл. Окончил физический ф-т НГУ (1973), аспирантуру Института физики полупроводников (ИФП, 1978). Работает в ИФП (с 1998 – зав. лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А₃В₅). Канд. физ.-мат. наук (1980, «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах»). Д-р физ.-мат. наук (1992, «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе»). С 1984 одновременно в НГУ (с 1993 – проф. кафедры полупроводников).
Основная сфера научных интересов – изучение квантовых квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур.
В возглавляемых им группах обнаружен и исследован целый ряд новых явлений в полупроводниковых и металлических низкоразмерных системах и наноструктурах: квантовые интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием, подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов, мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова-Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, магнитный пробой двумерного топологического изолятора, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе.
Впервые определили величину рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии. Созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. Обнаружены двумерный полуметалл в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе. Всесторонне и последовательно исследованы двумерные и трехмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона.