Основные ссылки

CSS adjustments for Marinelli theme

ВУЛ Бенцион Моисеевич

ВУЛ Бенцион МоисеевичВУЛ Бенцион Моисеевич

ВУЛ Бенцион Моисеевич (22.05.1903 – 9.04.1985) - советский физик, академик (1972, чл .- кор. 1939). Р. в Белой Церкви. Участник Гражданской войны, воевал в армии С.М. Будённого. Окончил Киевский политехнический ин-т (1928), где был оставлен аспирантов на кафедре электротехники. В 1929 в АН УССР защитил диссертацию "Электрическая очистка газов". С 1930 – аспирант ФТИ в Ленинграде. В 1932 командирован на 5 месяцев в Германию, но вынужден был вернуться раньше из-за прихода к власти Гитлера. С 1932 работал в Физическом ин-те АН СССР (с 1933 – зав. лабораторией). Д-р физ.-мат. наук (1935, "Электрический пробой диэлектриков", первая публичная защита докторской в АН). Дочь Елена – физик, жена математика Я.Г. Синая.

Работы посвящены физике диэлектриков и полупроводников.
Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательный пробой) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях.
Исследовал твердые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении, установив основные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения.
Развил основы теории фильтрации аэрозолей, на основании которой были созданы эффективные фильтры для противогазов.
Открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков, широко используемых в современной технике (Государственная премия СССР, 1946).
Выполнил работы по изучению электрической прочности воздуха при давлениях ниже атмосферного, изучл разряды в неоднородных электрических полях, полях высокой частоты. Результаты этих работ использованы при разработке аппаратуры для высотных самолётов.
Во время Великой Отечественной войны создал новые материалы для производства керамическиских конденсаторов, необходимых для военной техники. Разработал метод металлизхации бумаги. Участвовал в работах по борьбе с облединением самолётов.

ВУЛ Бенцион Моисеевич

Могила Вула на Новодевичьем кладбище
В 1948 начал исследования по физике полупроводников. Под его руководством в СССР была начата разработка первых полупроводниковых диодов, транзисторов и солнечных элементов. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей.
Создал диффузионный транзистор и предложил р-n-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов.
При его непосредственном участии созданы (1963) первые в СССР полупроводниковые лазеры (Ленинская премия, 1964).

Герой Социалистического Труда (1969).
Был активным партийным деятелем. Поддерживал А.М. Деборина (1936) против группы физиков (Я.И. Френкель, В.А. Фок, Л.И. Мандельштам, И.Е. Тамм, Л.Д. Ландау), считая их "социально чуждыми и политически враждебно  настроенными".  В августе 1936 на месяц был исключён из партии ("не сумел разглядеть контр-революционеров-троцкистов"). С тех пор всегда имел наготове портфель с предметами первой необходимости. Когда стали возвращаться репрессированные, считал необходимым максимально им помогать.

Литература:

1. Бенцион Моисеевич Вул: Жизнь, воспоминания, документы / Сост. В.М.Березанская; Под ред. А.А. Гипиуса. – M.: URSS, 2013.  
2. Памяти Бенциона Моисеевича Вула / УФН, т. 149, вып. 2, 1986, июнь.
3. Бенцион Моисеевич Вул (К 60-летию со дня рождения) / УФН, т. LXXX, вып. 4, 1963, август
4. Автобиография / В сб.: Физики о себе – Л., Наука, 1990