РОЩУПКИН Дмитрий Валентинович

РОЩУПКИН Дмитрий Валентинович (р. 01.05.1961) – российский физик. Чл.-корр. РАН (2022). Р. в Москве. В 1983 окончил Московский институт стали и сплавов (НИТУ МИСиС, Ин-т физико-химии материалов). С 1983 – в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (ИПТМ РАН) – зав. лаб. рентгеновской акустооптики; с 2018 – директор. Канд. физ.-мат. наук (1990, «Исследование взаимодействия поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками»). Д-р физ.-мат. наук (1997, «Взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками»).
Им создано новое научное направление «Рентгеновская акустооптика», позволившее решить задачи управления пространственно-временной структурой рентгеновского излучения, создать акустооптический модулятор рентгеновского излучения с временным разрешением 5 пикосекунд для источников синхротронного излучения и лазеров на свободных электронах, разработать методы визуализации акустических волн в твердых телах.
Разработал высокотемпературные датчики физических величин на основе пьезоэлектрических кристаллов семейства лантангаллиевого силиката с использованием акустических волн и прямого пьезоэлектрического эффекта.
Решил задачи получения и применения низкоразмерных 1D и 2D материалов для развития перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники, энергосберегающей энергетики, исследован акустостимулированный транспорт носителей заряда в графене и полупроводниковых материалах, позволяющий повысить КПД солнечных элементов до 60%.
Решил задачи синтеза кристаллов сложных растворов LiNb_(1-x)Ta_xO₃ , создания слоистых структур сегнетоэлектрик/полупроводник, формирования сегнетоэлектрических доменных структур для опто- и акустоэлектроники, микросистемной техники.