ПЕНИН Николай Алексеевич

ПЕНИН Николай Алексеевич (26.04.1912–21.03.2013) – советский и российский физик. Р. в с. Кушелово Волоколамского уезда Московской губ. Отец А.Н. Пенина. С 1934 учился на Физическом факультете МГУ, который окончил в 1939 по специальности «Электрические явления в вакууме и разреженных газах». В 1940–45 – научный сотрудник НИКФИ. В 1945–56 работал в ЦНИИ-108 Министерства обороны (заместитель руководителя лаборатории). В 1956–59 – старший научный сотрудник ИРЭ АН СССР. С 1959 работал в ФИАН (заведующий сектором, ведущий научный сотрудник, с 1992 – научный советник РАН). Одновременно преподавал в МГУ (1948–60, ассистент, доцент, один из создателей кафедры физики полупроводников) и в МЭИ (1960–75, доцент). Канд. техн. наук (1949, «Исследование селеновых выпрямителей»). Д-р физ.-мат. наук (1968, «Электронные процессы в сильнолегированных невырожденных полупроводниках и полупроводниковых диодах»). Проф. с 1978. Засл. деятель науки РСФСР (1991).
Научные работы посвящены физике газового разряда, фотоэффектам, физике твердого тела, полупроводников и полупроводниковых приборов. Один из пионеров отечественной полупроводниковой электроники.
В начале деятельности разработал фотоэлементы для первого советского звукового фильма «Путевка в жизнь» (1931), а также неоновые лампы для систем механического телевидения. В годы Великой Отечественной войны усовершенствовал технологию производства селеновых выпрямителей на основе осаждения паров серы. Курировал исследования по спецтематике радиолокации. Первым в СССР получил очищенный и монокристаллический германий методом Чохральского (1948), на основе которого были созданы высоконадежные смесительные СВЧ детекторы со сварным контактом. Участвовал в создании первых отечественных вплавных плоскостных транзисторов и первых полевых транзисторов типа Шокли, обладавших рекордными частотными свойствами. Исследовал частотные и емкостные свойства p-n переходов, что привело к созданию первых параметрических и туннельных диодов. В ФИАН методом ЭПР обнаружил эффект обменного взаимодействия примесных атомов фосфора в кремнии. Разработал гетеродинные примесные фотоприемники 10-микронного диапазона для ИК-локации и диагностики плазмы на установках Токамак. Дал теоретическое объяснение эффекту отрицательной емкости в однородных полупроводниковых структурах. Исследовал кинетическую индуктивность и генерацию магнитного поля в неравномерно вращающемся сверхпроводящем кольце.

Лауреат Сталинской премии (1951).

Похоронен на Востряковском кладбище в Москве.

1. Николай Алексеевич Пенин / К истории ФИАН. Серия «Портреты». Выпуск 4. Автор$составитель – В.М. Березанская. - ФИАН 2007
2. Николай Алексеевич Пенин. К 100-летию со дня рождения / Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 12