НАСЛЕДОВ Дмитрий Николаевич

НАСЛЕДОВ Дмитрий Николаевич (12.VIII.1903 — 8.I.1975) — советский физик. Р. в Киеве. Окончил Киевский ун-т (1924). В 1924 — 30 работал в Украинском рентгенологическом ин-те, с 1930 — в Ленинградском физико-техническом ин-те и Политехническом ин-те (с 1934 — профессор). Д-р физ.-мат. наук (1940, "Электрические свойства полупроводников»)
Работы посвящены физике и технике полупроводников, физике твердого тела.
Провел широкие исследования соединений типа А_IIIВ_V.
Разработал технологию получения монокристаллов арсенида галлия и арсенида индия и электронно-дырочных переходов на их основе, исследовал электрические, оптические, фотоэлектрические, люминесцентные свойства новых материалов.
Создал фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии с высоким КПД, высокочувствительные приемники излучения для различных областей спектра, туннельные диоды.
В 1962 указал на возможность стимулированного излучения из p-n-перехода в арсениде галлия и наблюдал его.
Был не только выдающимся ученым, организатором науки и создателем школы в области физики полупроводников, но и блестящим лектором и педагогом.
Ленинская премия (1964). Государственная премия СССР (1974).
Похоронен на Богословском кладбище в Санкт-Петербурге.

Сочинения:
Работы Д.Н. Наследова на портале электронной библиотеки"Научное наследие России"

Литература:

1. Памяти Дмитрия Николаевича Наследова / УФН, т. 116, вып. 4, 1975, август
2. Ф.П.Кесаманлы. Научная и педагогическая деятельность Дмитрия Николаевича Наследова.
3. О.В. Емельяненко, Н.М. Колчанова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Роль Дмитрия Николаевича Наследова в становлении и развитии физики и техники полупроводников A_IIIB_V. / Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8
4. М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. Открытие полупроводников A_IIIB_V : физические свойства и применение / Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 3