НЕИЗВЕСТНЫЙ Игорь Георгиевич

НЕИЗВЕСТНЫЙ Игорь Георгиевич (р. 26.XI.1931) – российский физик. Чл.-кор. РАН с 1990. Р. в Одессе. Окончил Московский энергетический ин-т. До 1962 - в ФИАН. С 1962 - в Ин-те физики полупроводников СО РАН (зам. директора, Советник РАН, зав. отделом тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники). Проф. НГУ. Зав. филиалом кафедры полупроводниковых приборов НГТУ.

Основные труды по физике полупроводников и физическим основам полупроводниковой микроэлектроники (явления на границе полупроводник - диэлектрик и в многослойных гетероструктурах).
Под руководством И.Г.Неизвестного были созданы фотосенсоры на различные диапазоны длин волн. Вначале исследования осуществлялись на германии, а затем, после создания техники молекулярно-лучевой эпитаксии, и на полупроводниках сложного состава. Внес большой вклад в изучение поверхностных рекомбинаций и захвата, заложивших базу методов стабилизации характеристик полупроводниковых приборов. Результаты экспериментов неравновесного объединения носителей заряда, проведенных под его руководством, применяются при разработке приборов с зарядовой связью и зарядовой инжекцией на основе узкозонных полупроводников. Совместно с сотрудниками развиты методы изучения ряда многослойных тонкопленочных структур, с помощью которых получают многоэлементные фотоприемные устройства в широком диапазоне длин волн. 
Открыл, экспериментально и теоретически исследовал новый класс фоточувствительных полупроводников (Государственная премия РФ,1995).
Исследования в области моделирования процессов молекулярно-лучевой эпитаксии, создания и исследования квантовых точек, разработки физических основ создания элементной базы квантового компьютера. С 1995 под его руководством ведутся работы в области компьютерного моделирования атомарных процессов на поверхности полупроводников.

Игорь Георгиевич Неизвестный (к 80-летию со дня рождения) // Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 2