ШКЛОВСКИЙ Борис Ионович (р. 31.I.1944) – советский, российский и американский физик-теоретик. В 1968 окончил ЛГУ. Работал в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Канд. физ.-мат.наук (1968, «К теории поглощения звука в диэлектриках»). Д-р. физ.-мат. наук (1973, «Прыжковая проводимость полупроводников»). Проф. Миннесотского университета. С 1994 года член Американского физического общества. Член НАН США (2023).
В 1971 с Алексеем Л. Эфросом создал теорию прыжковой проводимости полупроводников, основанную на перколяционном подходе. Развили теорию перколяции.
В 1975 с Алексеем Л. Эфросом предсказал кулоновскую щель в плотности состояний локализованных электронов (небольшой скачок плотности состояний вблизи уровня Ферми из-за взаимодействий между локализованными электронами) и развили её теорию. Модель проводимости, которая учитывает кулоновскую щель, названа моделью Эфроса – Шкловского, а закон, описывающий температурную зависимость прыжковой проводимости с переменной длиной – законом Эфроса-Шкловского.
В 1976 с Алексеем Л. Эфросом обнаружил и исследовал критическое поведение проводимости и диэлектрической проницаемости вблизи порога металл-неметалл.
Премия Л.Д. Ландау (1986, с Алексеем Л. Эфросом). Премия Оливера Э. Бакли по физике конденсированных сред за «новаторские исследования в области физики неупорядоченных материалов и прыжковой проводимости» (2018, с Алексеем Л. Эфросом и Э. Абрахамсом).