ПИРСОН Джеральд (Pearson Gerald Leondus) (31.III.1905 - 25.X.1987) – американский физик, член Национальной АН. Член Национальной академии инженеров. Р. в Салеме. Окончил Станфордский ун-т (1929). В 1929 - 60 работал в лабораториях Бэлл-Телефон (в 1957 - 60 – руководитель отдела прикладной физики твердого тела), в 1960 - 71 – профессор Станфордского ун-та.
Работы посвящены физике твердого тела, физике полупроводников, твердотельной электронике.
Исследовал процессы в фотоэлементах, транзисторах, диодах, шумы в электронных лампах и резисторах, контактную эрозию.
В 1948 совместно с У. Шокли обнаружил эффект поля, имевший важное значение для изобретения транзистора.
Совместно с У. Шокли и Дж. Хейнсом выполнил подробные исследования эффекта усиления и контролируемой инжекции носителей заряда в полупроводниках.
С Дж. Бардиным изучил большое количество образцов кремния с различным содержанием фосфора и серы, рассмотрел механизм рассеяния на донорах и акцепторах (1949).
В 1953 с К. Фуллером обнаружил, что р–n-переход в кристалле кремния, легированного галлием и литием, способен генерировать фототок, создав первые полупроводниковые фотоэлементы.
В 1954 сконструировал (с Д. Чапиным и К. Фуллером) первые солнечные батареи из последовательно соединенных кремниевых р–n-переходов, получив кпд 6%.
Медаль М. Смолуховского (1976).