ХОХЛОВ Дмитрий Ремович

Работы посвящены исследованию свойств узкощелевых полупроводников и возможности практического применения данных материалов. Получил ряд новых результатов, имеющих фундаментальное значение для физики полупроводников.
Впервые обнаружил и исследовал гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10⁶, локализацию и делокализацию в сверхсильных магнитных полях, СВЧ-стимуляцию (позволяющую увеличить квантовую эффективность полупроводника до 102) и СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости, селективную фононно-стимулированную фотопроводимость, монополярный фотоэлектромагнитный эффект и др.
Базируясь на проведенных фундаментальных исследованиях, разработал физические принципы работы фотоприемных устройств инфракрасного и субмиллиметрового диапазонов принципиально нового типа и сконструировал инфракрасный радиометр на основе этих принципов, по целому ряду параметров существенно превосходит все известные мировые аналоги.
Обнаружил и исследовал принципиально новый тип локальных электронных состояний, положение которых «привязано» к положению квазиуровня Ферми;
Обнаружил особенности фотоэлектромагнитного эффекта, индуцированного терагерцовым излучением, обусловленные топологически нетривиальными поверхностными состояниями в топологических изоляторах;
Обнаружил и исследовал PT-симметричную терагерцовую фотопроводимость в топологически нетривиальных полупроводниках.
Предложил и экспериментально обосновал возможность реализации высокочувствительной «непрерывной» фокальной матрицы изображения принципиально нового типа, работающей в терагерцовом диапазоне.
Развивает ряд новых направлений, в частности, исследование транспортных, оптических и фотоэлектрических свойств супрамолекулярных органических полупроводников, нитридов III группы и некоторых других материалов.

Видео

Дмитрий Хохлов. "Т-лучи - что это такое и зачем это нужно?"