КВЕДЕР Виталий Владимирович

КВЕДЕР Виталий Владимирович (р. 3.X.1949) – советский и российский физик, академик РАН (2019, член-корреспондент с 2006). Р. в Оренбурге. В 1972 г. окончил факультет общей и прикладной физики МФТИ. С 1977 – кандидат физ.-мат. наук ("Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР и высокочастотной проводимости"), с 1987 – доктор физ.-мат наук  ("Спинозависимые электронные свойства дислокаций в кремнии"), С 1997 – проф. С 1972 года – научный сотрудник (с 1989 – зав. Лабораторией спектроскопии дефектных структур, с 1992 – зам. директора по научной работе, в 2002-17 года – директор, с 2017 – научный руководитель) Института физики твердого тела РАН (ИФТТ). Координатор программы РАН «Физика новых материалов и структур». С 2015 – зав. каф.ФТТ МФТИ.
Широко известен своими пионерскими работами в области электронных свойств дислокаций и других протяженных дефектов в полупроводниках. Внес существенный вклад в развитие "инженерии дефектов" в кремнии с дислокациями, имеющей большое практическое значение для современной солнечной энергетики.
Работы связаны также: с экспериментальными методами (электронный спиновый резонанс, емкостная спектроскопия, DLTS, оптическая спектроскопия - люминисценция, оптическое поглощение, фотопроводимость), спин-зависимая рекомбинация, электро-дипольный спиновый резонанс («эффект Рашбы»), спин-зависимые реакции дефектов, СВЧ-измерения самоорганизацией дефектов и нелинейной диффузией; электронными, оптическими и магнитными свойствами фуллеренов, углеродных нано-трубок и соединений на основе фуллеренов.  В частности, обнаружены и исследованы различные спин-зависящие транспортные эффекты в одномерных электронных зонах на дислокациях, исследованы особенности оптического поглощения и люминисценции дислокаций. Исследовал электрон-дырочную рекомбинацию на дислокациях в кремнии и разработал количественная модель, имеющая большую практическую важность для создания технологий солнечных элементов на основе поликристаллического кремния.
Развил численные модели для описания и оптимизации гетерирования примесей и других приемов «инженерии дефектов» в кремнии с дислокациями, практически важные для развития технологий современных солнечных элементов.