РАШБА Эммануил Иосифович

РАШБА Эммануил Иосифович (р. 30.X.1927) – советский (украинский, российский) и американский физик. Р. в Киеве. Окончил физический факультет Киевского университета (1949). Ученик С.И. Пекара и А.С. Давыдова. В 1949-54 работал инженером и учителем в школе. В 1954-60 научный сотрудник в Институте физики АН УССР. С 1956 канд. физ.-мат. наук ("Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах"). В 1960-66 зав. отделом в Институте полупроводников АН УССР. В 1966-92 годах — заведующий теоретическим отделением отдела полупроводников Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау. Одновременно в 1967-91 профессор МФТИ. Д-р физ.-мат. наук (1964, "Электронные свойства неметаллических кристаллов со сложным энергетическим спектром"), профессор (1967). С 1991 – в США. Работал в городском колледже Нью-Йорка, в Университете штата Юта (1992-99), в Университете штата Нью-Йорк в Буффало (2001-2004). В 2000-2004 работал в MIT. Одновременно в 2000-2003 – проф. Дартмутского колледжа, в 2007-10 – Резерфордовский проф. Ун-та в Лафборо, Великобритания. В 2004-15 – проф. Гарвардского ун-та. Чл. американского физического общества.
С К. Б. Толпыго развивал теорию переноса носителей тока в полупроводниках. Одним и важных результатов, полученных в этих работах, было построение вольтамперной характериститки выпрямляющих диодов и p-n-переходов в пределе больших смещений (ток пропорционален квадрату приложенного напряжения – т.н. «закон Рашбы-Толпыго-Носаря»).
Занимался теоретическим изучением экситонов (кандидатская диссертация). 
Построил теорию слабо связанных локализованных экситонов.
Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов ВЧ электрическим полем (эффект Рашбы). Работы по спин-орбитальному взаимодействию оказали значительное влияние на развитие физики полупроводников и гетероструктур, а его основная статья является одной из самых цитируемых до настоящего времени.
Установил возможность существования нового типа зонной структуры полупроводников.
С сотр. предсказал размерные эффекты, связанные с рекомбинационной длиной в биполярных материалах, с междолинной релаксационной длиной в многодолинных полупроводниках, с длиной остывания носителей разогретых электрическим полем и т.д., в частности, электрический пинч-эффект а анизотропных материалах – контролируемое полем накопление электронов и дырок у одной из поверхностей полупроводника.
Автор работ по спектроскопии молекулярных кристаллов.
В последние годы занимался проблемами спинтроники и физики наносистем.

Ленинская пр. (1966). Премия АН СССР им. А. Ф. Иоффе (1987). Премия С.И.Пекара (2007, Украина). Премия Н. Мотта (2005, Великобритания). Премия А.Аронова (2005, Израиль). Премии им. О. Бакли по физике конденсированного состояния (2022, "за новаторские исследования спин-орбитального взаимодействия в кристаллах, в особенности за фундаментальное открытие кирального спин-орбитального взаимодействия, которое продолжает способствовать развитию исследований спинового транспорта и топологических материалов").