ЛЕБЕДЕВ Александр Александрович младший

ЛЕБЕДЕВ Александр Александрович младший (р. 10.III.1959) – российский физик. Сын А.А. Лебедева, внук А. Алекс. Лебедева. Окончил ЛЭТИ (им. В.И. Ленина), магистр по оптоэлектронике, 1983. Канд. физ.-мат. наук (1991, "Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC"). Д-р физ.-мат. наук (1998, "Емкостная спектроскопия карбида кремния"). Руководитель отделения Твердотельной электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе, зав. лабораторией физики полупроводниковых приборов. Профессор кафедры оптоэлектроники СПГЭТУ (2004). В 2019 был одним из трёх кандидатов на должность директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Специалист в области физики, технологии и приборных применений карбида кремния и других широкозонных полупроводников.
Провел исследование электрофизических свойств политипов карбида кремния (SiC), разработал технологию эпитаксии слоев SiС с заданными параметрами. Впервые для исследования широкозонных полупроводников применил метод нестационарной емкостной спектроскопии. Создал прототипы SiC приборов, предельные рабочие температуры, удельные коммутируемые мощности и радиационная стойкость которых соответствовали ранее сделанным теоретическим оценкам. Доказал возможность работы SiC приборов при температурах более 800ºC и уровнях излучения в среднем на два порядка больших, чем предельные значения для Si приборов с теми же рабочими параметрами,
Развил качественную модель, описывающую трансформацию политипа в процессе эпитаксии, разработал технологию эпитаксии кубического SiC на основе подложек гексагонального SiC, получил гетеродиоды, исследовал их электрофизические свойства, и объяснил наблюдавшиеся квантово-размерные эффекты. Фактически создал новый тип гетеропереходов между двумя кристаллическими модификациями (политипами) одного полупроводникового материала.
Усовершенствовал метод хлоргидридной эпитаксии, что позволило получить качественные эпитаксиальные слои GaN и АlGaN на подложках SiC, перспективные для создания СВЧ (НЕМТ транзисторы) и светоизлучающих приборов.
Разработал технологию формирования плёнок графена термодеструкцией поверхности SiC, исследовал их свойства и изготовлены сверхчувствительные газовые и биосенсоры на их основе.
По контракту с ПАО «Светлана-Электронприбор» разработана и внедрена технология изготовления высокочастотных SiC p-i-n диодов и организовано производство монокристаллов SiC.