ШОТОВ Алексей Петрович (703.1927 – 6.07.2001) – россйиский физик, ак. РАЕН (1992).Р. в д. Маврино Московской области. В. 1952 окончил Московский механический институт. С 1952 в ФИАН (с 1970 – зав. сектором, с 1985 – зав. лабораторией, с 1992 - Главный научный сотрудник). Канд. физ.-мат. наук (191958, "Исследование ударной ионизации и пробоя в германиевых P-N переходах"). Д-р.физ.-мат. ннаук (1967, "Исследование оптических и электрических явлений в вырожденных полупроводниках"), профессор.
Специалист в области физики твердого тела.
Внес крупный вклад в физику лавинного пробоя p-n переходов и процессов ударной ионизации в полупроводниках, заложив теоретическую базу для разработки полупроводниковых приборов, работающих в лавинном режиме. Предложил и обосновал метод диффузии примесных атомов для получения р-п переходов в полупроводниках и создал (с Б.М. Вулом) первые диффузионные диоды и транзисторы (1952 - 53).
Разработал вопросы физики квантово-размерных структур и полупроводниковых лазеров с целью создания нового поколения приборов нано- и оптоэлектроники. Один из создателей первых полупроводниковых лазеров в СССР (1962). В 1963–68 впервые получил вырожденную электронно-дырочную плазму в объеме полупроводника, исследовал ее свойства в магнитных полях и реализовал генерацию когерентного излучения.
Провел большой цикл работ по физике и технологии узкозонных полупроводников и квантово-размерных структур на их основе. Важным результатом этого цикла явилось создание перестраиваемых диодных лазеров, излучающих в широкой области инфракрасного спектра. Разработал лазерный измеритель газовых примесей в атмосфере, с помощью которого были получены систематические данные о фоновом содержании окиси углерода в атмосфере биосферных заповедников и оценен уровень загрязнения атмосферы в крупных городах страны, в частности в Москве.
Гос. Премия (1985), Ленинская премия (1964). Премия Президента РФ в области образования (2000).
Похоронен на Введенском кладбище (уч. 21).